Исследователи из научной кооперации Национального центра физики и математики (НЦФМ, одним из соучредителей является Госкорпорация «Росатом») создали единую технологическую платформу для интеграции мемристорных устройств в отечественный процесс производства современных кремниевых чипов. Это открывает возможности для производства в России перспективной мемристорной памяти (RRAM).
Ученые разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства в России прототипа чипа перспективной энергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ.
Разработанные элементы хранения информации реализуются в верхних слоях металлизации чипа благодаря особым электронным устройствам — мемристорам, пассивным электрическим элементам, способным изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через них электрического заряда. Преимуществами мемристорной технологии являются возможности реализовать энергонезависимую память в наномасштабах (на уровне 10⁻⁹ метров) и обеспечить высокую скорость перезаписи, характерную для оперативной памяти (время записи менее 10–9 секунд).
«Сопротивление мемристора может изменяться в зависимости от прошедшего через него электрического заряда, то есть мемристор запоминает количество прошедшего через него заряда и сохраняет эту информацию в виде своего сопротивления. Такие свойства мемристора открывают возможности создания на его основе ячеек долговременной памяти и систем для „вычислений в памяти“, причем мемристорные элементы памяти могут быть более компактными и быстрыми, чем элементы современной флеш-памяти», — отметил сопредседатель научных направлений НЦФМ, научный руководитель направления Южного федерального университета академик РАН Игорь Каляев.